EC400產(chǎn)品參數(shù)

1.真空腔室：400mm(W)*415mm(D)*450mm(H)

2.SUS304不銹鋼方形腔體，前后開門結構，可獨立使用或與手套箱對接使用。

3.真空系統(tǒng)：分子泵+機械泵，氣動真空閥門，“一低一高"數(shù)顯復合真空計。

4.真空極限：優(yōu)于5.0*10^-5Pa

5.抽速：從大氣抽至7.0*10^-4Pa≤30min

6.可鍍膜尺寸：≤140mm*140mm

7.基片臺系統(tǒng)：水冷(可選配加熱)

8.基片旋轉：0-60轉/分鐘，可調可控。

9.蒸發(fā)源：2組有機蒸發(fā)源自帶控溫0-700℃可調，2組金屬蒸發(fā)源

10.膜厚不均勻性:≤±5%

11.控制方式：PLC觸摸屏自動控制，程序互鎖保護及異常報警。

12.占地面積：1300mm*910mm(長*寬)

EC400技術優(yōu)勢

*解決溶液法加工鈣鈦礦的痛點（成膜單一，制程單一）

*良品率高，重復性好。

*操作方便，沉積參數(shù)易于控制。

*制膜純度高、質量好，厚度可較準確控制。

*成膜速率快、效率高，采用掩模版可以獲得清晰的圖形。

*薄膜生長機理比較簡單。

MS450產(chǎn)品參數(shù)

1.真空腔室：450mm(W)*450mm(D)*380mm(H)

2.SUS304不銹鋼方形腔體，前后開門結構，可獨立使用或與手套箱對接使用。

3.真空系統(tǒng)：分子泵+機械泵，氣動真空閥門，“兩低一高"數(shù)顯復合真空計。

4.真空極限：優(yōu)于5.0*10^-5Pa

5.抽速：從大氣抽至7.0*10^-4Pa≤30min

6.可鍍膜尺寸：≤125mm*125mm

7.基片臺系統(tǒng)：可升降帶加熱600℃(可選配水冷)

8.基片旋轉：0-60轉/分鐘，可調可控。

9.濺射靶槍：3只3英寸磁控靶槍(DC/RF兼容)

10.膜厚不均勻性:≤±5%

11.控制方式：PLC觸摸屏自動控制，程序互鎖保護及異常報警。

12.占地面積：1500mm*1400mm(長*寬)